Chwytaki mikromagnetyczne z tranzystorami GaN: Szybki montaż arkuszy ogniw akumulatorowych w czasie 5 milisekund

Wysokoczęstotliwościowe kształtowanie pola magnetycznego tranzystorami z azotku galu

Szybki montaż pakietów ogniw litowo-jonowych (Battery Cell Stacking) wymaga układania tysięcy warstw folii miedzianej i aluminiowej na minutę. Klasyczne chwytaki magnetyczne sterowane przekaźnikami lub tranzystorami krzemowymi mają długi czas narastania pola magnetycznego (nawet 50–100 ms) oraz wykazują magnetyzm szczątkowy, przez co odrzucana folia przywiera do stopy chwytaka i zagina się przy odjeździe osi Z.

W ultraszybkich liniach pakowania ogniw wdraża się **Chwytaki Mikromagnetyczne z Tranzystorami z Azotku Galu (GaN-Driven Magnetic Grippers)**.

Stopa chwytaka składa się z matrycy miniaturowych cewek bezrdzeniowych sterowanych bezpośrednio przez tranzystory mocy GaN pracujące z częstotliwością przełączania do 1 MHz. Pozwala to na wygenerowanie optymalnie wyprofilowanego impulsu przyciągającego w czasie poniżej 5 milisekund.

• Natychmiastowe rozmagnesowanie w 2 ms: Podanie przeciw-impulsu wygaszającego całkowicie eliminuje magnetyzm szczątkowy.
• Lokalne sterowanie strefowe stopy: Możliwość aktywacji tylko wybranej części chwytaka dopasowanej do geometrii arkusza.
• Brak generowania ciepła na cewkach: Wysoka sprawność tranzystorów GaN zapobiega nagrzewaniu i odkształcaniu cienkich folii anodowych.